Mientras el procesador Snapdragon 820 de Qualcomm comienza lentamente a llegar al mercado, ya comenzaron a circular rumores sobre la próxima generación, específicamente del Snapdragon 830.
De acuerdo con un nuevo reporte, el Snapdragon 830 será fabricado utilizando el proceso FinFET de 10nm de Samsung - el actual Snapdragon 820 utiliza un proceso de 14nm LPP, la segunda generación del proceso FinFET del fabricante surcoreano.
El Snapdragon 830 también incorporaría soporte para hasta 8GB de RAM, núcleos Kyro de Qualcomm mejorados en comparación con el Snapdragon 820 y llegaría a principios del 2017, mientras que podría ser anunciado oficialmente en IFA 2016 el próximo septiembre o bien en CES 2017.
Mientras tanto, el Snapdragon 820 de cuatro núcleos comenzará a llegar masivamente a partir de la primera mitad del 2016, y se espera que potencie a smartphones como el Samsung Galaxy S7, el LG G5 y otros smartphones insignia de los principales fabricantes que serán anunciados durante MWC 2016 el próximo mes.
Vía: FoneArena
