Samsung anunció que comenzó la producción de un nuevo tipo de memoria que incrementará tanto la capacidad de almacenamiento como la velocidad de acceso a memoria en los smartphones. El chip se llama 3D Vertical NAND y utiliza una técnica que le permite ofrecer el doble de almacenamiento de las memorias flash existentes.
La solución de Samsung crea una estructura 3D con mayor densidad apilando hasta 24 capas de celdas y logrando incluso mayor confiabilidad y velocidad de escritura.
El chip de Samsung podrá ofrecer al menos 128GB de almacenamiento utilizando esta nueva tecnología. Por ahora, se desconoce cuándo los chips 3D V-NAND llegarán a los smartphones, pero debería ser en los próximos meses.
